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CXDM6053N TR /MOSFET 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
CXDM6053N TR的规格信息
CXDM6053N TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CXDM

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

零件号别名:CXDM6053N PBFREE TR

单位重量:130.500 mg

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CXDM6053N TRCentral Semiconductor CorpFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥6.64
10+:¥6.5199
25+:¥5.89
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250+:¥4.5199
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1,000:¥3.2318
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500+:¥4.01011000+:¥3.0099
2000+:¥2.77
10000+:¥2.7
25000+:¥2.61
50000+:¥2.56